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2DB1188P-13 - Diodes Incorporated

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2DB1188P-13

Hersteller Teil #: 2DB1188P-13

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: Diodes Incorporated

Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo

Verpackung: TO-243AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

2DB1188P-13 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

7 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-243AA

Number of Pins

Weight

51.993025mg

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

120MHz

Power Dissipation (Max)

Number of Elements

hFEMin

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Published

2013

JESD-609 Code

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Terminal Form

FLAT

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Frequency

120MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

2DB1188

JESD-30 Code

R-PSSO-F3

Element Configuration

Single

Power Dissipation

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

SWITCHING

Polarity/Channel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Collector Emitter Voltage (VCEO)

32V

Max Collector Current

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

82 @ 500mA 3V

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA ICBO

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 200mA, 2A

Transition Frequency

120MHz

Max Breakdown Voltage

32V

Collector Base Voltage (VCBO)

40V

Emitter Base Voltage (VEBO)

Height

1.5mm

Length

4.5mm

Width

2.48mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
2DB1188P-13	TO-243AA	Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
2SB1132T100R	TO-243AA	TRANS PNP 32V 1A SOT-89
2DB1188Q-13	TO-243AA	Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo
2DB1188R-13	TO-243AA	TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
2SB1188T100P	TO-243AA	TRANS PNP 32V 2A SOT-89

2DB1188P-13 Preis
2DB1188P-13 Verteilers
2DB1188P-13 Hersteller
2DB1188P-13 Technische Daten
2DB1188P-13 PDF
2DB1188P-13 Datenblätter
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Bipolar Transistors - BJT 1000W -32Vceo

Verpackung: TO-243AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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